IHW30N110R3

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IHW30N110R3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IHW30N110R3 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	333 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3XK SP000702510
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	240
Серия	IHW30N110
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: