FS50R12W2T4

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FS50R12W2T4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 16 недель

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FS50R12W2T4 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Modules
Pd - рассеивание мощности	335 W
Вес изделия	39 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	FS50R12W2T4BOMA1 SP000404114 FS50R12W2T4BOMA1
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	IGBT-Inverter
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	83 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	15
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Module
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: