STGIPN3H60AT

STGIPN3H60AT

STGIPN3H60AT
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGIPN3H60AT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 12 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
STGIPN3H60AT Лист данных скачать
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Высота 3.2 mm
Диапазон рабочих температур - 40 C to + 150 C
Длина 29.25 mm
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ширина 12.55 mm
Pd - рассеивание мощности 8 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение SLLIMM
Конфигурация 3-Phase Inverter
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
Продукт IGBT Silicon Modules
Производитель STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки 476
Серия STGIPN3H60AT
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Bulk
Упаковка / блок NDIP-26L
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.148 секунд.