Ничего не куплено!
FF600R12ME4EB11BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF600R12ME4EB11BOSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: FF600R12ME4EB11BOSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| FF600R12ME4EB11BOSA1 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Код HTS | 8541290095 |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Вид монтажа | Press Fit |
| Другие названия товара № | SP001671626 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Common Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 600 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
Страница создана за 0.384 секунд.