Ничего не куплено!
BLF7G10L-250,118
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF7G10L-250,118
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.
Номер части: BLF7G10L-250,118
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLF7G10L-250,118 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы PWR LDMOS TRANSISTOR
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 60 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 920 MHz to 960 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-502A-3 |
| Усиление | 19.5 dB |
Страница создана за 0.268 секунд.