BSM300D12P2E001

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM300D12P2E001
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM300D12P2E001 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module

Дискретные полупроводниковые модули
Высота	17 mm
Длина	122 mm
Количество каналов	1 Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Ширина	62 mm
Id - непрерывный ток утечки	300 A
Pd - рассеивание мощности	1875 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
Вид монтажа	Screw Mount
Другие названия товара №	BSM300D12P2E001
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	SiC-DSMOSFET, SiC-SBD
Продукт	Power MOSFET Modules
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	4
Серия	BSMx
Тип	SiC Power MOSFET
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
CNHTS	8542319000
MXHTS	85415001
TARIC	8541500000

Метки: