BSM080D12P2C008

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM080D12P2C008
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM080D12P2C008 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V

Дискретные полупроводниковые модули
Количество каналов	2 Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	600 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 6 V, 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	Screw Mount
Другие названия товара №	BSM080D12P2C008
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	Half-Bridge
Продукт	Power Semiconductor Modules
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	12
Серия	BSMx
Тип	SiC Power MOSFET
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Module
CNHTS	8542319000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: