CLF1G0060-10U

CLF1G0060-10U

CLF1G0060-10U
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: CLF1G0060-10U
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
CLF1G0060-10U Лист данных скачать
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Broadband RF power GaN HEMT
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Id - непрерывный ток утечки 1.7 A
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 3 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 2 V
Вид монтажа Screw
Диапазон рабочих температур - 65 C to + 150 C
Категория продукта РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 380 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 65 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель NXP
Рабочая частота 3.5 GHz
Технология GaN Si
Тип транзистора HEMT
Торговая марка NXP Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT1227A
Усиление 14.5 dB
Метки:
Страница создана за 0.137 секунд.