STMicroelectronics
Главная » Номенклатура по производителям » STMicroelectronics

STMicroelectronics

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
STGAP1AS
STGAP1AS
Драйверы для управления затвором Automotive galvanically isolated single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP1ASTR
STGAP1ASTR
Драйверы для управления затвором Automotive galvanically isolated single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP1S
STGAP1S
Драйверы для управления затвором Industrial & ASIC..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP1STR
STGAP1STR
Драйверы для управления затвором Industrial & ASIC..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2DM
STGAP2DM
Драйверы для управления затвором IND. & POWER CONV...
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2DMTR
STGAP2DMTR
Драйверы для управления затвором IND. & POWER CONV...
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2SCM
STGAP2SCM
Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2SCMTR
STGAP2SCMTR
Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2SM
STGAP2SM
Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGAP2SMTR
STGAP2SMTR
Драйверы для управления затвором Galvanically isolated 4 A single gate driver..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10H60DF
STGB10H60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10M65DF2
STGB10M65DF2
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 1..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10NB37LZ
STGB10NB37LZ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10NB37LZT4
STGB10NB37LZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10NB40LZT4
STGB10NB40LZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB15H60DF
STGB15H60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB18N40LZT4
STGB18N40LZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB19NC60HDT4
STGB19NC60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB19NC60KDT4
STGB19NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB20H60DF
STGB20H60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB20N40LZ
STGB20N40LZ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 2.837 секунд.