STMicroelectronics
Главная » Номенклатура по производителям » STMicroelectronics

STMicroelectronics

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
STGWT40H60DLFB
STGWT40H60DLFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT40H65DFB
STGWT40H65DFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT40H65FB
STGWT40H65FB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT40V60DF
STGWT40V60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT40V60DLF
STGWT40V60DLF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT60H60DLFB
STGWT60H60DLFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT60H65FB
STGWT60H65FB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT60V60DF
STGWT60V60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT60V60DLF
STGWT60V60DLF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT80H65DRFB
STGWT80H65DRFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT80H65FB
STGWT80H65FB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT80V60DF
STGWT80V60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGWT80V60F
STGWT80V60F
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGY40NC60VD
STGY40NC60VD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 50A Max247..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGY50NC60WD
STGY50NC60WD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 65A N-Channel..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGY80H65DFB
STGY80H65DFB
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH110N10F7-2
STH110N10F7-2
МОП-транзистор N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH110N10F7-6
STH110N10F7-6
МОП-транзистор N-CH 100V 49mOhm 110A STripFET VII..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH12N120K5-2
STH12N120K5-2
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH130N10F3-2
STH130N10F3-2
МОП-транзистор N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH140N6F7-2
STH140N6F7-2
МОП-транзистор N-channel 60 V, 0.0025 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power МОП-транзи..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH140N8F7-2
STH140N8F7-2
МОП-транзистор N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr МОП-транзистор..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STH145N8F7-2AG
STH145N8F7-2AG
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power МОП-транзистор..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 5.872 секунд.