img0
img0
img0
img0
img0
img0
img0
Infineon Technologies
Главная » Номенклатура по производителям » Infineon Technologies

Infineon Technologies

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
DD98N22K
DD98N22K
Дискретные полупроводниковые модули 2200V 160A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DD98N24K
DD98N24K
Дискретные полупроводниковые модули 2400V 160A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DD98N25K
DD98N25K
Выпрямители 2500V 160A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB2U30N08VR
DDB2U30N08VR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB2U50N08W1R_B23
DDB2U50N08W1R_B23
Мостовые выпрямители Bridge Rectifier 600V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U100N16RR
DDB6U100N16RR
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 100A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U104N16RR
DDB6U104N16RR
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 105A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U104N18RR
DDB6U104N18RR
Выпрямители 1.8KV 25A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U134N16RR
DDB6U134N16RR
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 134A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U144N16R
DDB6U144N16R
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 145A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U145N16L
DDB6U145N16L
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 145A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U205N16L
DDB6U205N16L
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 205A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U215N16L
DDB6U215N16L
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 215A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U25N16VR
DDB6U25N16VR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U30N08VR
DDB6U30N08VR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U75N16W1R_B11
DDB6U75N16W1R_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U84N16RR
DDB6U84N16RR
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 85A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DDB6U85N16L
DDB6U85N16L
Дискретные полупроводниковые модули 1600V 85A UN-CNTL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO3AR1080JGTOBO1
DEMO3AR1080JGTOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием This is the universal input 28 W 12 V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO3RBR4765JGTOBO1
DEMO3RBR4765JGTOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием This is the universal input 10 W 12 V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO45W19VFLYBP7TOBO1
DEMO45W19VFLYBP7TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO5AR0680BZS44W1TOBO1
DEMO5AR0680BZS44W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO5AR4780BZS14W1TOBO1
DEMO5AR4780BZS14W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
DEMO5GR4780AG14W1TOBO1
DEMO5GR4780AG14W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 5.438 секунд.