Infineon Technologies

Infineon Technologies

На странице:
Сортировка:
DEMO5QR0680AZ42W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием This demostration board operates unde..
Цена: по запросу
DEMO5QR2270AZ24W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием This demostration board operates unde..
Цена: по запросу
DEMO5QR2280AZ24W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием The DEMO_5QR2280AZ_24W1 demostration ..
Цена: по запросу
DEMO5QR4780AZ16W1TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием The DEMO_5QR4780AZ_16W1 demostration ..
Цена: по запросу
DEMOBOARDIFX91041TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Demoboard for industrial step-down DC..
Цена: по запросу
DEMOBOARDITS42008TOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием The ITS42008-SB-D is a 150mO octal ch..
Цена: по запросу
DEMOBOARDTLF50211ELTOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием This application board enables you to..
Цена: по запросу
DEMOBOARDTLF50281ELTOBO1
Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием..
Цена: по запросу
DEMOSENSE2GO2TOBO1
Радиочастотные средства разработки..
Цена: по запросу
DEMOSENSE2GOLTOBO1
Радиочастотные средства разработки Demo board using BGT24LTR11..
Цена: по запросу
DF1000R17IE4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A..
Цена: по запросу
DF1000R17IE4D_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF120R12W2H3_B27
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF1400R12IP4D
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A..
Цена: по запросу
DF150R12RT4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A..
Цена: по запросу
DF160R12W2H3F_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF160R12W2H3_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF200R12KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL..
Цена: по запросу
DF200R12PT4_B6
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF300R07PE4_B6
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V..
Цена: по запросу
DF300R12KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL..
Цена: по запросу
DF400R07PE4R_B6
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
DF400R12KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A..
Цена: по запросу
DF600R12IP4D
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A..
Цена: по запросу
DF650R17IE4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650A..
Цена: по запросу
Страница создана за 4.91 секунд.