Infineon Technologies
Главная » Номенклатура по производителям » Infineon Technologies

Infineon Technologies

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
FF600R17ME4P_B11
FF600R17ME4P_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF600R17ME4_B11
FF600R17ME4_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module wi..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF650R17IE4
FF650R17IE4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF650R17IE4DP_B2
FF650R17IE4DP_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF650R17IE4D_B2
FF650R17IE4D_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF650R17IE4P
FF650R17IE4P
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF650R17IE4V
FF650R17IE4V
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF6MR12W2M1B11BOMA1
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 6 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, ..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF75R12RT4
FF75R12RT4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF75R12YT3
FF75R12YT3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R12KE3
FF800R12KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R12KF4
FF800R12KF4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R12KL4C
FF800R12KL4C
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R17KE3
FF800R17KE3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R17KE3_B2
FF800R17KE3_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KA..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R17KF6C_B2
FF800R17KF6C_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF800R17KP4_B2
FF800R17KP4_B2
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF8MR12W2M1B11BOMA1
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, ..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IE4
FF900R12IE4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IE4V
FF900R12IE4V
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IP4
FF900R12IP4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IP4D
FF900R12IP4D
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IP4DV
FF900R12IP4DV
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IP4P
FF900R12IP4P
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
FF900R12IP4V
FF900R12IP4V
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 6.312 секунд.