CEL
Главная » Номенклатура по производителям » CEL

CEL

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
B1010SP0-EVB-1
B1010SP0-EVB-1
Средства разработки Bluetooth / 802.15.1 CSR1010 IC Starter Dev Kit..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2164X3-EVAL
CG2164X3-EVAL
Радиочастотные средства разработки 2.5 and 6GHz DPDT Eval Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2176X3
CG2176X3
ИС, РЧ-переключатели 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2176X3-C2
CG2176X3-C2
ИС, РЧ-переключатели 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2185X2
CG2185X2
ИС, РЧ-переключатели 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2214M6
CG2214M6
ИС, РЧ-переключатели 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2409M2-EVAL
CG2409M2-EVAL
Радиочастотные средства разработки 50-3800MHz SPDT Eval Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CG2409X3
CG2409X3
ИС, РЧ-переключатели 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
MC7833-AZ
MC7833-AZ
РЧ-усилитель 870MHz Push-Pull Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3210S01
NE3210S01
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3503M04-A
NE3503M04-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3508M04-A
NE3508M04-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3508M04-EVNF23-A
NE3508M04-EVNF23-A
Радиочастотные средства разработки L to S band LNA Eval Brd..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3509M04-A
NE3509M04-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3509M04-EVNF24-A
NE3509M04-EVNF24-A
Радиочастотные средства разработки For NE3509M04-A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3509M04-T2-A
NE3509M04-T2-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3510M04-A
NE3510M04-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3511S02-A
NE3511S02-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3511S02-T1C-A
NE3511S02-T1C-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3512S02-A
NE3512S02-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 3.018 секунд.