CEL
Главная » Номенклатура по производителям » CEL

CEL

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
NE3512S02-T1D-A
NE3512S02-T1D-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3514S02-A
NE3514S02-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом K Band Super Low Noise Amp N-Ch..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3514S02-T1D-A
NE3514S02-T1D-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3515S02-A
NE3515S02-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3515S02-T1D-A
NE3515S02-T1D-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3520S03-A
NE3520S03-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .65dB Ga=13.5dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE3520S03-T1C-A
NE3520S03-T1C-A
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .65dB Ga=13.5dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE4210S01-T1B
NE4210S01-T1B
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE46134-AZ
NE46134-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Med Pwr Hi-Freq..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE46134-T1-AZ
NE46134-T1-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Med Pwr Hi-Freq..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE46134-T1-QS-AZ
NE46134-T1-QS-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN High Frequency QS Rating..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE461M02-AZ
NE461M02-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Low Distort Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE461M02-T1-AZ
NE461M02-T1-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Low Distort Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE462M02-AZ
NE462M02-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon 6GHz NF 2.3dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE462M02-T1-AZ
NE462M02-T1-AZ
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon 6GHz NF 2.3dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE5520279A-EVPW04
NE5520279A-EVPW04
Радиочастотные средства разработки Silicon Medium Pwr LDMOS..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE5520279A-EVPW24
NE5520279A-EVPW24
Радиочастотные средства разработки For NE5520279A-A Power at 2.4 GHz..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE5520379A-EVPW04
NE5520379A-EVPW04
Радиочастотные модули Silicon Medium Pwr LDMOS..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE5520379A-EVPW09-A
NE5520379A-EVPW09-A
Радиочастотные средства разработки For NE5520379A-A Power at 900 MHz..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE552R479A-EVPW24
NE552R479A-EVPW24
Радиочастотные средства разработки For NE552R479A-A Power at 2.4 GHz..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE5531079A-A
NE5531079A-A
РЧ МОП-транзисторы 7.5Volts 460MHz LDMO..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE55410GR-AZ
NE55410GR-AZ
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Power LDMOS FET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
NE55410GR-T3-AZ
NE55410GR-T3-AZ
РЧ МОП-транзисторы Silicon Medium Pwr LDMOSFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 3.676 секунд.