Cree, Inc.
Главная » Номенклатура по производителям » Cree, Inc.

Cree, Inc.

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
C5SMF-RJS-CT0W0BB1
C5SMF-RJS-CT0W0BB1
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CT0W0BB2
C5SMF-RJS-CT0W0BB2
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа 100/40DG RD STNDOF BRT LAMP 621NM 2.1V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CT34QBB2
C5SMF-RJS-CT34QBB2
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CU14QBB1
C5SMF-RJS-CU14QBB1
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CU34QBB1
C5SMF-RJS-CU34QBB1
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CU34QBB2
C5SMF-RJS-CU34QBB2
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CV14QBB1
C5SMF-RJS-CV14QBB1
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
C5SMF-RJS-CV14QBB2
C5SMF-RJS-CV14QBB2
Стандартные светодиоды - Сквозного монтажа Red Oval LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CAS300M17BM2
CAS300M17BM2
Дискретные полупроводниковые модули 1700V, 300A, SiC Half Bridge Module..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CCS020M12CM2
CCS020M12CM2
Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 20A, SiC Six pack Module..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CCS050M12CM2
CCS050M12CM2
Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 50A, SiC Six pack Module..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH35240F
CGH35240F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.1-3.5GHz 240W GaN Gain @3.3GHz 11.6dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40006P
CGH40006P
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40006S
CGH40006S
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 11.8dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40006S-KIT
CGH40006S-KIT
Радиочастотные средства разработки DC-6GHz 28V 6W Kit..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40010F-TB
CGH40010F-TB
Радиочастотные средства разработки DC-6GHz 28V 10W Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40025F
CGH40025F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40025F-TB
CGH40025F-TB
Радиочастотные средства разработки DC-6GHz 28V 25W Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40035F
CGH40035F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V 35W Gain 14dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40090PP
CGH40090PP
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 28V 90W Gain 12.5dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40120F-TB
CGH40120F-TB
Радиочастотные средства разработки DC-2.5GHz 28V 120W Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40180PP
CGH40180PP
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.5GHz 28V 180W Gain 19dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH40180PP-TB
CGH40180PP-TB
Радиочастотные средства разработки DC-2.5GHz 28V 180W Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH55030F2
CGH55030F2
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 4.5-6GHz 30Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 7.254 секунд.