Cree, Inc.
Главная » Номенклатура по производителям » Cree, Inc.

Cree, Inc.

На странице:
Сортировка:
Сравнить (0)
CGH60015D
CGH60015D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 15W GaN Gain@ 4GHz 15dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH60030D
CGH60030D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 30W GaN Gain@ 4GHz 15dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH60060D
CGH60060D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 60W GaN Gain@ 4GHz 13dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGH60120D
CGH60120D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV14500F
CGHV14500F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV1F006S
CGHV1F006S
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 6 Watt 40V Gain 16.5dB GaN..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV1J070D
CGHV1J070D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 70 Watts Gain 17dB @10GHz..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV35150-TB
CGHV35150-TB
Радиочастотные средства разработки 2.9-3.5GHz 150W GaN Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV35150F
CGHV35150F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.9-3.5GHz 150W GaN Gain@3.1Ghz 13.3dB..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV40050F
CGHV40050F
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 50W Gain 17.5dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV40050F-TB
CGHV40050F-TB
Радиочастотные средства разработки DC-4GHz 50W Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV40100F-TB
CGHV40100F-TB
Радиочастотные средства разработки DC-3GHz 100W GaN Eval Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV40320D
CGHV40320D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 320W GaN 50Volt..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV60040D
CGHV60040D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 40W GaN 50Volt..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV60075D5
CGHV60075D5
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV60170D
CGHV60170D
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 170W GaN 50Volt..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV96050F1
CGHV96050F1
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV96050F2
CGHV96050F2
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ...
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV96050F2-TB
CGHV96050F2-TB
Радиочастотные средства разработки 7.9-9.6GHz 50W GaN Eval Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV96100F2
CGHV96100F2
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CGHV96100F2-TB
CGHV96100F2-TB
Радиочастотные средства разработки 7.9-9.6GHz 100W GaN Test Board..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CLA1A-MKW-CWBYA133
CLA1A-MKW-CWBYA133
Стандартные светодиоды - Накладного монтажа 120DG W-WT WT FC HI BRT LED 3200K 3.6V..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CLA1A-MKW-CWbYa233
CLA1A-MKW-CWbYa233
Стандартные светодиоды - Накладного монтажа Warm White LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CLA1A-MKW-CWBYA513
CLA1A-MKW-CWBYA513
Стандартные светодиоды - Накладного монтажа Warm White LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
CLA1A-MKW-CXAYA233
CLA1A-MKW-CXAYA233
Стандартные светодиоды - Накладного монтажа Warm White LED..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 3.057 секунд.