Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Главная » Каталог » Полупроводниковые приборы » Дискретные полупроводниковые приборы » Транзисторы » Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT): 1845 шт.

Показать: Список / Таблицу
Показать:
Сортировать по:
Сравнение товаров (0)
STGB7H60DF
STGB7H60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, ..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB7NC60HDT4
STGB7NC60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB7NC60HT4
STGB7NC60HT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGB8NC60KDT4
STGB8NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGBL6NC60DT4
STGBL6NC60DT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD10HF60KD
STGD10HF60KD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD10NC60HDT4
STGD10NC60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 10 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD10NC60KDT4
STGD10NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD14NC60KT4
STGD14NC60KT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD18N40LZ-1
STGD18N40LZ-1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD18N40LZT4
STGD18N40LZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD19N40LZ
STGD19N40LZ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD20N40LZ
STGD20N40LZ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD3NB60SDT4
STGD3NB60SDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ-1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD5NB120SZT4
STGD5NB120SZT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD6NC60H-1
STGD6NC60H-1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD7NB60ST4
STGD7NB60ST4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD7NC60HT4
STGD7NC60HT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGD8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGDL6NC60DIT4
STGDL6NC60DIT4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A hyper fast IGBT..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGE200NB60S
STGE200NB60S
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
STGE50NC60VD
STGE50NC60VD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-chnl 50A-600V PowerMESH..
Цена: по запросу
В закладки
В сравнение
Страница создана за 1.1 секунд.