Производитель

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

- (40)
0.1 Ohms (1)
0.5 Ohms (1)
0.6 Ohms (1)
0.25 Ohms (1)
0.28 Ohm (1)
1 Ohms (1)
1.6 Ohms (1)
2.3 Ohms (1)
8 Ohms (1)
12 Ohms (1)
18 Ohms (1)
25 Ohms (1)
30 Ohms (1)
40 Ohms (1)
50 Ohms (4)
60 Ohms (1)
85 Ohms (1)
100 Ohms (1)
200 mOhms (2)
250 Ohms (1)
340 mOhms (1)
440 mOhms (1)

Pd - рассеивание мощности

- (32)
1 W (5)
165 mW (14)
250 mW (27)
270 mW (6)
300 mW (8)
400 mW (6)
725 mW (6)
см. еще

- (32)
0.64 W (1)
0.89 W (1)
1 W (5)
1.4 W (1)
1.5 W (5)
2 W (1)
2.1 W (1)
2.3 kW (2)
2.25 W (2)
3 W (3)
3.5 W (3)
4.2 W (2)
5.6 W (1)
7.5 W (1)
8.4 W (1)
9.1 W (1)
10.3 W (2)
10.5 W (1)
11.6 W (1)
12 W (4)
15.3 W (1)
16 W (1)
17 W (1)
27 W (1)
28 W (1)
33 W (1)
34.5 W (1)
41 W (1)
41.6 W (1)
44 W (1)
45 W (2)
49 W (1)
53 W (1)
68 W (1)
79 W (1)
86 W (2)
115 W (1)
117 W (2)
125 mW (4)
128 W (1)
150 mW (2)
165 mW (14)
170 W (1)
175 mW (2)
180 mW (3)
192 W (2)
200 mW (1)
225 mW (5)
230 W (1)
250 W (1)
250 mW (27)
270 mW (6)
288 W (2)
300 mW (8)
350 mW (3)
360 mW (4)
400 mW (6)
460 W (1)
500 mW (4)
550 mW (3)
580 mW (3)
583 W (2)
600 mW (3)
700 W (1)
725 mW (6)
758 W (1)
875W (2)

Vds - напряжение пробоя сток-исток

4 V (22)
5 V (17)
5.5 V (15)
7 V (18)
25 V (17)
32 V (17)
120 V (16)
175 V (13)
см. еще

3 V (3)
4 V (22)
4.5 V (3)
5 V (17)
5.5 V (15)
7 V (18)
8 V (8)
9 V (1)
12 V (12)
15 V (3)
20 V (7)
25 V (17)
30 V (7)
32 V (17)
36 V (4)
40 V (7)
50 V (9)
65 V (2)
100 V (12)
120 V (16)
125 V (1)
150 V (12)
160 V (2)
175 V (13)

Конфигурация

Id - непрерывный ток утечки

1 A (9)
12 A (7)
30 mA (6)
70 mA (13)
100 mA (11)
120 mA (8)
145 mA (6)
500 mA (7)
см. еще

- (1)
0.3 A (2)
0.6 A (1)
0.8 A (1)
0.75 A (2)
1 A (9)
1.2 A (3)
1.3 A (1)
1.4 A (1)
1.5 A (3)
1.7 A (4)
1.8 A (2)
2 A (2)
2 mA (1)
2.4 A (1)
2.5 A (1)
2.9 A (2)
3 A (3)
3.2 A (1)
3.5 A (1)
3.6 A (1)
4 A (1)
4 mA (1)
4.2 A (2)
4.4 A (1)
4.5 A (2)
5 A (1)
5 mA (4)
5.1 A (2)
6 A (5)
6.3 A (1)
6.5 mA (2)
6.7 A (1)
7 mA (2)
7.1 A (1)
7.32 A (2)
8.3 A (1)
8.6 A (1)
8.7 A (1)
9.1 A (1)
10 A (2)
10 mA (5)
12 A (7)
12 mA (1)
12.6 A (1)
14 mA (1)
15 mA (4)
17.2 A (2)
18 A (1)
18.1 A (2)
20 mA (5)
20.4 A (2)
22.4 A (1)
24 A (4)
24 mA (1)
25 mA (4)
28 A (1)
30 mA (6)
35 mA (1)
36 A (1)
40 mA (5)
50 mA (4)
54 mA (3)
58 mA (1)
60 mA (4)
70 mA (13)
80 mA (5)
81 mA (1)
88 mA (3)
97 mA (2)
100 mA (11)
120 mA (8)
129 mA (1)
135 mA (1)
145 mA (6)
150 mA (1)
180 mA (1)
194 mA (2)
259 mA (1)
300 mA (6)
305 mA (6)
326 mA (1)
330 mA (1)
360 mA (1)
375 mA (2)
480 mA (1)
500 mA (7)
517 mA (1)
557 mA (1)
600 mA (2)
720 mA (1)
800 mA (2)
820 mA (1)
950 mA (1)

Vds - напряжение пробоя затвор-исток

- 3 V (26)
- 5 V (15)
- 5 V to 1 V (29)
- 8 V (19)
- 10 V to + 2 V (27)
- 14 V (9)
- 25 V (16)
3 V (10)
см. еще

- (3)
- 2.7 V (6)
- 2.9 V (2)
- 3 V (26)
- 4 V (3)
- 5 V (15)
- 5 V to 0.8 V (5)
- 5 V to 1 V (29)
- 6 V (1)
- 7 V (2)
- 8 V (19)
- 10 V, 2 V (1)
- 10 V to + 2 V (27)
- 12 V (1)
- 14 V (9)
- 15 V (4)
- 20 V (1)
- 25 V (16)
- 30 V (5)
- 40 V (3)
2.6 V (1)
2.7 V (1)
3 V (10)
3 mA (1)
20 V (6)
25 V (6)
30 V (4)
40 V (4)
100 V (2)
145 V (2)
150 V (1)

Размер фабричной упаковки

1 (16)
25 (6)
50 (9)
100 (35)
1000 (6)
2000 (7)
3000 (58)
10000 (29)
см. еще

1 (16)
18 (1)
25 (6)
36 (2)
50 (9)
100 (35)
150 (1)
200 (2)
500 (2)
1000 (6)
2000 (7)
2500 (2)
3000 (58)
4000 (2)
10000 (29)

Упаковка / блок

Максимальная рабочая температура

+ 85 C (11)
+ 95 C (23)
+ 125 C (16)
+ 150 C (122)
+ 160 C (15)
+ 200 C (3)
+ 225 C (4)
- (11)
см. еще

+ 85 C (11)
+ 90 C (1)
+ 95 C (23)
+ 125 C (16)
+ 130 C (2)
+ 150 C (122)
+ 150 V (1)
+ 160 C (15)
+ 200 C (3)
+ 225 C (4)
+ 250 C (1)
+ 275 C (1)
- (11)

Вид монтажа

SMD/SMT (205)
Screw (24)
Through Hole (8)

Максимальное напряжение сток-затвор

- (34)
- 2.9 V (3)
- 5 V to + 1 V (8)
20 V (4)
25 V (8)
30 V (4)
40 V (4)
100 V (5)
см. еще

- (34)
- 2.9 V (3)
- 5 V (3)
- 5 V to + 1 V (8)
- 12 V (1)
- 15 V (1)
- 25 V (3)
- 30 V (1)
12 V (2)
20 V (4)
25 V (8)
30 V (4)
40 V (4)
48 V (2)
100 V (5)
145 V (2)
225 V (1)

Напряжение отсечки затвор-исток

Тип транзистора

EpHEMT (34)
HEMT (104)
HFET (17)
JFET (43)
MESFET (3)
pHEMT (50)

Другие названия товара №

Технология

GaAs (104)
GaN Si (10)
GaN SiC (93)
Si (43)

Упаковка

Ammo Pack (6)
Bulk (31)
Cut Tape (3)
Gel Pack (25)
Reel (107)
Tray (61)
Tube (23)
Waffle (10)

Полярность транзистора

N-Channel (184)
P-Channel (3)

Минимальная рабочая температура

- (11)
- 40 C (56)
- 55 C (9)
- 65 (6)
- 65 C (27)

Диапазон рабочих температур

Усиление

10 dB (9)
11 dB (13)
13 dB (10)
13.5 dB (9)
14 dB (9)
15 dB (14)
16 dB (15)
17.5 dB (14)
см. еще

- (1)
8 dB (4)
9.5 dB (1)
10 dB (9)
10.4 dB (1)
11 dB (13)
11.5 dB (3)
11.6 dB (1)
11.8 dB (1)
12 dB (8)
12.4 dB (1)
12.5 dB (4)
12.6 dB (1)
13 dB (10)
13.3 dB (1)
13.5 dB (9)
14 dB (9)
14.2 dB (1)
14.5 dB (3)
14.8 dB (4)
15 dB (14)
15.5 dB (6)
15.7 dB (1)
16 dB (15)
16.5 dB (3)
16.6 dB (3)
17 dB (7)
17.1 dB (2)
17.5 dB (14)
17.7 dB (4)
18 dB (8)
18.2 dB (1)
18.4 dB (3)
18.5 dB (1)
18.6 dB (2)
19 dB (4)
19.2 dB (5)
19.3 dB (1)
19.6 dB (1)
19.7 dB (1)
19.8 dB (2)
20 dB (3)
20.4 dB (1)
20.5 dB (2)
20.8 dB (3)
21 dB (1)
22.9 dB (1)

Выходная мощность

6 W (4)
10 W (4)
30 W (6)
100 W (7)
120 W (3)
170 W (3)
260 W (4)
500 W (4)
см. еще

1.5 kW (1)
5 W (1)
5.3 W (1)
5.7 W (1)
6 W (4)
6.9 W (1)
9 W (1)
10 W (4)
11 W (1)
12.5 W (1)
15 W (1)
17 W (1)
17.7 W (2)
19 W (1)
22 W (1)
24 W (1)
25 W (3)
26.5 dBm (1)
30 W (6)
38.4 dBm (1)
40 W (1)
41.6 dBm (1)
44.5 dBm (1)
45 W (2)
46.4 dBm (1)
47.6 dBm (1)
48.6 dBm (1)
50 W (1)
55 W (2)
60 W (2)
70 W (1)
75 W (1)
80 W (1)
100 W (7)
120 W (3)
125 W (2)
131 W (1)
170 W (3)
180 W (1)
220 W (1)
240 W (1)
250 W (2)
260 W (4)
320 W (1)
330 W (1)
450 W (1)
500 W (4)
510 W (1)
600 W (2)
650 W (1)

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

- (4)
- 1.6 V (2)
- 1.8 V (2)
- 2 V (4)
- 2.4 V (2)
- 3 V (33)
- 3.1 V (9)
2.3 V (3)
см. еще

- (4)
- 1.6 V (2)
- 1.8 V (2)
- 2 V (4)
- 2.4 V (2)
- 2.9 V (1)
- 3 V (33)
- 3.1 V (9)
- 3.8 V (2)
- 3V (1)
- 10 V, + 2 V (1)
2.3 V (3)

Рабочая частота

Серия

2N3819 (1)
2N5952 (1)
2SK3557 (1)
CGHV (1)
MAGX (3)
T1G (5)
T2G (7)
TGF (10)
см. еще

2N3819 (1)
2N5952 (1)
2SK3557 (1)
CGHV (1)
J211 (1)
MAGX (3)
MMBF4416 (1)
MMBF5484 (1)
MMBF5485 (1)
MMBF5486 (1)
MMBFJ211 (1)
MMBFJ305 (1)
MMBFJ309 (1)
MMBFJ310 (1)
MRFG35003N6AT1 (1)
MRFG35005ANT1 (1)
MRFG35010ANT1 (1)
PMBFJ110 (1)
QPD (1)
T1G (5)
T2G (7)
TGA (1)
TGF (10)

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

- (34)
12.5 S (6)
55 mS (11)
70 mS (6)
220 mmho (6)
230 mmho (6)
410 mmho (6)
440 mmho (6)
см. еще

- (34)
0.0001 S (1)
0.003 S to 0.006 S (1)
0.0035 S to 0.007 S (1)
0.004 S to 0.008 S (1)
0.006 S to 0.012 S (1)
0.008 S to 0.018 S (1)
0.01 S to 0.02 S (1)
0.1 S (2)
0.2 S (2)
0.35 S (2)
1 S (1)
1.1 S (2)
1.5 S (1)
1.8 S (1)
2 S (2)
2.5 S (4)
2.25 S (1)
3 S (1)
3.3 S (1)
4 S (1)
4.5 S (1)
5 S (3)
12.5 S (6)
16.2 S (1)
35 mS (1)
55 mS (11)
60 mS (3)
65 mS (2)
70 mS (6)
80 mS (2)
97 mS (1)
100 mS (2)
120 mS (1)
120 mmho (3)
155 mS (1)
220 mmho (6)
225 mS (1)
230 mmho (6)
232 mS (1)
309 mS (1)
375 mS (1)
380 mS (2)
398 mmho (3)
410 mmho (6)
440 mmho (6)
450 mS (1)
464 mS (1)
619 mS (1)
650 mmho (5)
750 mS (1)
900 mS (1)
1300 mmho (5)
1872 mmho (3)
2178 mmho (3)
2294 mmho (2)

Класс

- (33)

P1dB - точка сжатия

- (33)
11 dBm (7)
12 dBm (3)
19 dBm (6)
22 dBm (4)
26.5 dBm (4)
29 dBm (5)
30 dBm (4)
см. еще

- (33)
3 W (1)
4.5 W (1)
5 dBm (3)
8 dBm (1)
9 W (1)
10.5 dBm (1)
11 dBm (7)
12 dBm (3)
14 dBm (3)
14.4 dBm (3)
14.6 dBm (3)
18 dBm (2)
19 dBm (6)
20 dBm (3)
20.4 dBm (3)
21.4 dBm (3)
22 dBm (4)
23 dBm (2)
24 dBm (1)
24.5 dBm (3)
26 dBm (3)
26.5 dBm (4)
27 dBm (2)
28 dBm (2)
29 dBm (5)
29.5 dBm (1)
30 dBm (4)
31 dBm (2)
32.5 dBm (1)
33 dBm (1)
34 dBm (1)
36 dBm (1)
37 dBm (1)
38 dBm (1)
39 dBm (1)
42 dBm (1)
43 dBm (1)

NF - коэффициент шумов

- (33)
0.3 dB (5)
0.4 dB (9)
0.5 dB (19)
0.6 dB (9)
0.35 dB (5)
0.45 dB (6)
1 dB (5)
см. еще

- (33)
0.3 dB (5)
0.4 dB (9)
0.5 dB (19)
0.6 dB (9)
0.7 dB (1)
0.9 dB (1)
0.35 dB (5)
0.45 dB (6)
0.53 dB (3)
0.75 dB (3)
0.85 dB (2)
1 dB (5)
1.1 dB (3)
1.4 dB (4)
1.5 dB (5)
1.72 dB (1)
5.5 dB (2)
12 dB (3)

Средства разработки

Применение

- (33)
Avionics, IFF Transponders (1)

Вес изделия

60 mg (8)
201 mg (1)
280 mg (3)

HTS Code

8541290075 (1)

TARIC

8517620000 (1)

СТОИМОСТЬ

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом: 270 шт.

Сравнение товаров (0)

NE3210S01

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3210S01-T1B

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3503M04-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Low Noise HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3503M04-T2-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3508M04-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3508M04-T2-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3509M04-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3509M04-T2-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3510M04-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3510M04-T2-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L-S Band Lo No Amp..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3511S02-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3511S02-T1C-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3512S02-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3512S02-T1C-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3512S02-T1D-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3514S02-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом K Band Super Low Noise Amp N-Ch..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3514S02-T1C-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3514S02-T1D-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3515S02-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3515S02-T1C-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3515S02-T1D-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3520S03-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .65dB Ga=13.5dB..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE3520S03-T1C-A

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .65dB Ga=13.5dB..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NE4210S01-T1B

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Lo Noise HJFET..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

NPT1012B

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN..

Цена: по запросу

В закладки

В сравнение

|< < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >|

Показано с 176 по 200 из 270 (всего 11 страниц)

Страница создана за 0.261 секунд.

Корзина покупок

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом: 270 шт.

Информация

Служба поддержки

Дополнительно

Личный Кабинет