Ничего не куплено!
DF2S8.2CT,L3F
Производитель: Toshiba
Номер части: DF2S8.2CT,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: DF2S8.2CT,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| DF2S8.2CT,L3F Лист данных | скачать |
Подавители статического заряда Bias Resistor Built-in transistor
| Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения | |
| Cd - емкость диода | 20 pF |
| Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо | - |
| Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |
| Категория продукта | Подавители статического заряда |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение пробоя | 7.7 V |
| Полярность | Bidirectional |
| Производитель | Toshiba |
| Рабочее напряжение | 6.5 V |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOD-882 |
Страница создана за 0.146 секунд.