Ничего не куплено!
DF2B6.8M1ACT,L3F
Производитель: Toshiba
Номер части: DF2B6.8M1ACT,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: DF2B6.8M1ACT,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Подавители статического заряда ESD Bi-Directional Protection Diode
| Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения | |
| Cd - емкость диода | 300 pF |
| Iпи - пиковый импульсный ток | 2.5 A |
| Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо | 15 kV |
| Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 12 kV |
| Категория продукта | Подавители статического заряда |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение пробоя | 6 V |
| Напряжение фиксации | 15 V |
| Полярность | Bidirectional |
| Производитель | Toshiba |
| Рабочее напряжение | 5 V |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | CST-2 |
Страница создана за 0.379 секунд.