BS2100F-E2

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BS2100F-E2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

NRND: Не рекомендуется для новых разработок.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BS2100F-E2 Лист данных	скачать

Драйверы для управления затвором 600V Hi voltage High Low-side Gate Driver

Драйверы для управления затвором
Технология	Si
Pd - рассеивание мощности	670 mW
Вес изделия	851 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	200 ns
Время спада	100 ns
Выходное напряжение	618 V, 18 V
Выходной ток	130 mA
Другие названия товара №	BS2100F
Категория продукта	Драйверы для управления затвором
Количество выходов	2 Output
Количество драйверов	2 Driver
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное время задержки включения	320 ns
Максимальное время задержки выключения	330 ns
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение питания - макс.	18 V
Напряжение питания - мин.	10 V
Продукт	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Производитель	ROHM Semiconductor
Рабочий ток источника питания	120 uA
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	BS2100F
Тип	High Side, Low Side
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOP-8

Метки: