Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| NE5517DG Лист данных | скачать |
| Транскондуктивные усилители | |
| GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| Диапазон входного напряжения - макс. | Positive Rail - 3 V |
| Длина | 10 mm |
| Максимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 22 V |
| Минимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 2 V |
| Напряжение сдвоенного питания | +/- 2 V to +/- 22 V |
| Подкатегория | Amplifier ICs |
| Тип питания | Single, Dual |
| Тип продукта | Transconductance Amplifiers |
| Ширина | 4 mm |
| CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала | 80 dB |
| Ib - Входной ток смещения | 5 uA |
| Ios - Входной ток разбаланса | 0.6 uA |
| Pd - рассеивание мощности | 1125 mW |
| SR - скорость нарастания выходного напряжения | 50 V/us |
| Vcm - Синфазное напряжение | +/- 12 V |
| Vos - Входное напряжение смещения нуля | 5 mV |
| Вес изделия | 666 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходной ток на канал | 650 uA |
| Категория продукта | Транскондуктивные усилители |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5400 uS |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Максимальное входное сопротивление | 26 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Напряжение питания - макс. | 44 V |
| Напряжение питания - мин. | 4 V |
| Отключение | No Shutdown |
| Продукт | Transconductance Amplifiers |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Рабочий ток источника питания | 2.6 mA |
| Размер фабричной упаковки | 48 |
| Серия | NE5517 |
| Тип выхода | Push Pull |
| Тип усилителя | Transconductance Amplifier |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| CAHTS | 8542330000 |
| CNHTS | 8542319000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8542330996 |
| KRHTS | 8532331000 |
| MXHTS | 85423399 |
| USHTS | 8542330001 |
| CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала | 80 dB |