Ничего не куплено!
TC58BYG1S3HBAI6
Производитель: Toshiba
Номер части: TC58BYG1S3HBAI6
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: TC58BYG1S3HBAI6
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Флэш-память 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| Флэш-память | |
| Архитектура | Block Erase |
| Быстродействие | 25 ns |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | - 40 C to + 85 C |
| Категория продукта | Флэш-память |
| Максимальная тактовая частота | - |
| Напряжение питания - макс. | 30 mA |
| Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
| Организация | 256 M x 8 |
| Производитель | Toshiba |
| Размер памяти | 2 Gbit |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Тип памяти | NAND |
| Тип синхронизации | Synchronous |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | VFBGA-67 |
| Ширина шины данных | 8 bit |
Страница создана за 0.142 секунд.