Ничего не куплено!
FDZ3N513ZT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FDZ3N513ZT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FDZ3N513ZT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 462 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.7 V |
| Вес изделия | 42 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single with Schottky Diode |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FDZ3N513ZT |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | WLCSP-4 |
Страница создана за 0.152 секунд.