Ничего не куплено!
SiS780DN-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiS780DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 12 недель
Номер части: SiS780DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 12 недель
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| SIS780DN-T1-GE3 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts
| МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Тип продукта | MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 27.7 W |
| Qg - заряд затвора | 24.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | SIS780DN-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIS |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
Страница создана за 0.146 секунд.