BSB008NE2LXXT

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSB008NE2LXXT
Нормоупаковка: 5000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 5000

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	180 A
Pd - рассеивание мощности	89 W
Qg - заряд затвора	240 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	800 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	47.2 ns
Время спада	32.4 ns
Другие названия товара №	BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Dual Drain Dual Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	75 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	MG-WDSON-2

Метки: