BSB165N15NZ3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSB165N15NZ3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	45 A
Pd - рассеивание мощности	78 W
Qg - заряд затвора	26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	7 ns
Другие названия товара №	BSB165N15NZ3GXT BSB165N15NZ3GXUMA1 SP000617000
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	24 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS 3
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDSON-2

Метки: