DMN62D1LFD-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN62D1LFD-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	400 mA
Pd - рассеивание мощности	0.5 W
Qg - заряд затвора	0.55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.8 ns
Время спада	13.9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DMN6
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN62
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	21 ns
Типичное время задержки при включении	2.1 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	X1-DFN1212-3

Метки: