DMN2016UTS-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN2016UTS-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Dual МОП-транзистор 20V VDSS 8V VGSS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	8.58 A
Pd - рассеивание мощности	880 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11.66 ns
Время спада	16.27 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DMN2016
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	59.38 ns
Типичное время задержки при включении	10.39 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSSOP-8

Метки: