CDM22010-650 SL

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CDM22010-650 SL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	156 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	33 ns
Время спада	36 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Central Semiconductor
Серия	CDM22
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	57 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: