Ничего не куплено!
SIA533EDJ-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA533EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIA533EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 12V 4.5A/4.5A N&P-CH МОП-транзистор
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A, - 3.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 7.8 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC, 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms, 48 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIA533EDJ-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S, 21 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
Страница создана за 0.861 секунд.