Ничего не куплено!
NVB5860NLT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVB5860NLT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NVB5860NLT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 220 A |
| Pd - рассеивание мощности | 283 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | NVB5860NL |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 98 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.157 секунд.