Ничего не куплено!
SI2369DS-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2369DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SI2369DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор -30V 29mOhm@-10V -7.6A P-CH
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 7.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | Power MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Страница создана за 0.2 секунд.