Ничего не куплено!
CZDM1003N TR
Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CZDM1003N TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: CZDM1003N TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Серия | CZDM1003 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Страница создана за 0.167 секунд.