Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 0.27 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | + /- 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3 ns |
| Время спада | 24 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 450 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |