BUK7K5R6-30E,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BUK7K5R6-30E,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	40 A
Pd - рассеивание мощности	64 W
Qg - заряд затвора	29.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.76 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	12.9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	1500
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17.9 ns
Типичное время задержки при включении	9.2 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-1205-8

Метки: