Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 150 ns |
| Время спада | 50 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Source |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | STV200N55F3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerSO-10 |