DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT10H015LFG-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
DMT10H015LFG-7 Лист данных скачать
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Высота 0.8 mm
Длина 3.3 mm
Код HTS 8541290095
Ширина 3.3 mm
Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Qg - заряд затвора 33.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вес изделия 72 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7 ns
Время спада 8.1 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerDI
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 2000
Серия DMT10
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 19.7 ns
Типичное время задержки при включении 6.5 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
Упаковка / блок PowerDI3333-8
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.163 секунд.