SIA449DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA449DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 12 A
Pd - рассеивание мощности	19 W
Qg - заряд затвора	72 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	16 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PowerPAK, TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	31 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIA4xxDJ
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	39 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: