SI5515DC-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5515DC-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор COMPLEMENTARY 20-V (D-S)

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.4 A
Pd - рассеивание мощности	1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms, 69 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	36 ns, 32 ns
Время спада	36 ns, 32 ns
Другие названия товара №	SI5515DC-T1
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	N-Channel, P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns, 42 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns, 18 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ChipFET-8

Метки: