BSC123N08NS3GATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC123N08NS3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	55 A
Pd - рассеивание мощности	66 W
Qg - заряд затвора	19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	12.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	18 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	BSC123N08NS3 BSC123N08NS3GXT G SP000443916
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	44 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Серия	BSC123N08
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TDSON-8

Метки: