SI7100DN-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7100DN-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	26.1 A
Pd - рассеивание мощности	3.8 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	57 ns, 52 ns
Время спада	10 ns, 8 ns
Другие названия товара №	SI7100DN-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 50 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI71xxDx
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	61 ns, 53 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns, 14 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: