Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Pd - рассеивание мощности | 41 W |
| Qg - заряд затвора | 20.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Другие названия товара № | SIS782DN-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single with Schottky Diode |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SISxxxDN |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |