CSD19537Q3T

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD19537Q3T
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V N-Channel NexFET" Power МОП-транзистор 8-VSON-CLIP -55 to 150

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	53 A
Pd - рассеивание мощности	83 W
Qg - заряд затвора	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3 ns
Время спада	3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Texas Instruments
Серия	CSD19537Q3
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	VSON-8

Метки: