DMN6069SFG-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN6069SFG-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	18 A
Pd - рассеивание мощности	930 mW
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	63 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	3.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN6069
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	3.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI3333-8

Метки: