DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT8012LPS-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
DMT8012LPS-13 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
МОП-транзистор
Высота 1 mm
Длина 5.8 mm
Ширина 4.9 mm
Id - непрерывный ток утечки 65 A
Pd - рассеивание мощности 2.1 W
Qg - заряд затвора 34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вес изделия 96 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 3.8 ns
Время спада 3.5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. -
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DMT8012
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 16.5 ns
Типичное время задержки при включении 4.9 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
Упаковка / блок PowerDI5060-8
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.21 секунд.