Ничего не куплено!
TPN4R303NL,L1Q
Производитель: Toshiba
Номер части: TPN4R303NL,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: TPN4R303NL,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор Power moSFET N-ch single VDSS30V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 63 A |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Qg - заряд затвора | 14.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.5 ns |
| Время спада | 3.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Серия | U-MOSVIII |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TSON-8 |
Страница создана за 0.158 секунд.