Ничего не куплено!
PSMN8R5-100ESQ
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PSMN8R5-100ESQ
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PSMN8R5-100ESQ
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 263 W |
| Qg - заряд затвора | 111 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 43 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Типичное время задержки выключения | 87 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | I2PAK-3 |
Страница создана за 0.305 секунд.