SIA527DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA527DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.5 A
Pd - рассеивание мощности	7.8 W
Qg - заряд затвора	5.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	41 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+ /- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, - 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	Power MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: